BMS的全稱為電池管理系統(tǒng) (Battery Management System), 即管理電池的充放電，使電池處于一個(gè)穩(wěn)定良好的狀態(tài)，為何需要管理呢？ 因?yàn)殡娦镜某浞烹娛且粋€(gè)電化學(xué)的過(guò)程，多個(gè)電芯組成一個(gè)電池，由于每個(gè)電芯特性，無(wú)論制造多精密，隨著使用時(shí)間，環(huán)境，各個(gè)電芯都會(huì)存在誤差與不一致的地方，故電池管理系統(tǒng)，就是通過(guò)有限的參數(shù)，去評(píng)估當(dāng)前電池的狀態(tài)，然后對(duì)電池做一個(gè)初步的管理和維護(hù)！下面小編介紹鋰電池bms保護(hù)板故障檢修方法的內(nèi)容，歡迎閱讀！

鋰電池bms保護(hù)板故障檢修方法：

一、bms保護(hù)板無(wú)閃光，輸出電壓低，負(fù)載不起

　　bms保護(hù)板的這種不良主要排除電池不良(電池原本沒(méi)有電壓或電壓低)。如果電池不良，應(yīng)檢查保護(hù)板的自耗電量，看保護(hù)板的自耗電量是否過(guò)大，導(dǎo)致電池電壓低。假設(shè)電池電壓正常，是因?yàn)楸Ｗo(hù)板整個(gè)電路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等)。

　　具體分析過(guò)程如下：

　　（一）、用萬(wàn)用表黑表筆連接電池負(fù)極，紅表筆依次連接FUSE、R1電阻兩端，ICVdd、Dout、Cout端，P+(假設(shè)電芯電壓為3.8)V），逐段分析，這些檢驗(yàn)點(diǎn)應(yīng)為3.8V。如果沒(méi)有，那么這段電路就有問(wèn)題了。

　　1、FUSE兩端電壓變化：檢查FUSE是否導(dǎo)通，如果導(dǎo)通例為PCB板內(nèi)部電路不通，如果FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC控制故障）、材料有問(wèn)題(FUSE在MOS或IC動(dòng)作前被燒壞)，然后用導(dǎo)線短接FUSE，繼續(xù)分析。

　　2、R1電阻兩端的電壓發(fā)生變化：檢查R1電阻值。如果電阻值異常，則可能是虛焊，電阻本身開(kāi)裂。如果電阻值無(wú)異常，則可能是IC內(nèi)部電阻問(wèn)題。

　　3、IC檢驗(yàn)端電壓發(fā)生變化：VDD端與R1電阻相連。Dout、由于IC虛焊或損壞，Cout端失常。

　　4、如果前面的電壓沒(méi)有變化，檢查B-P+之間的電壓異常，是因?yàn)楸Ｗo(hù)板的正極過(guò)孔不通。

　　（二）、萬(wàn)用表紅表筆連接電池正極，激活MOS管后，黑表筆依次連接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。

　　1.MOS管2、3腳，6、如果腳電壓發(fā)生變化，則表示MOS管異常。

　　2.若MOS管電壓不變，P-端電壓異常，是由于保護(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。

二、bms保護(hù)板短路無(wú)保護(hù)

　　1、VM端電阻問(wèn)題:IC2腳可以用萬(wàn)用表一表筆連接，MOS管腳可以用一表筆連接VM端電阻，供認(rèn)其電阻值。看電阻和IC、MOS管腳是否有虛焊。

　　2、IC、MOS異常：由于過(guò)放保護(hù)與過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)共用MOS管，如果短路異常是由于MOS問(wèn)題，則該板不應(yīng)具有過(guò)放保護(hù)功能。

　　3、以上是正常情況下的不良，也可能是IC和MOS設(shè)備不良引起的短路異常。如早期BK-901，其型號(hào)為“312D”的IC延遲時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致MOS或其他元器件在IC進(jìn)行相應(yīng)的動(dòng)作控制前損壞。注：在此期間，識(shí)別IC或MOS是否異常的最簡(jiǎn)單和直接的方法是更換可疑的組件。

三、bms保護(hù)板短路保護(hù)無(wú)自由恢復(fù)

　　1、規(guī)劃中使用的IC原本沒(méi)有自恢復(fù)功能，如G2J、G2Z等。

　　2、儀器設(shè)置的短路恢復(fù)時(shí)間太短，或者短路檢查時(shí)負(fù)載沒(méi)有移除。如果用萬(wàn)用表電壓檔短路，表筆短路后不會(huì)從檢查端移除(萬(wàn)用表相當(dāng)于幾兆的負(fù)載)。

　　3、P+、P-間漏電，如焊盤(pán)間有雜質(zhì)松香、黃膠或P雜質(zhì)+、P-間電容器被擊穿，ICVdd到VSs間被擊穿。(阻值只有幾K到幾百K)。

　　4、假設(shè)以上都沒(méi)有問(wèn)題，也許IC被擊穿，可以檢查IC各管腳之間的阻值。

四、bms保護(hù)板內(nèi)阻大

　　1、由于MOS內(nèi)阻相對(duì)穩(wěn)定，內(nèi)阻較大，首先要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對(duì)簡(jiǎn)單的部件。

　　2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常，則根據(jù)保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)PTC阻值+、P-焊盤(pán)與部件表面之間的過(guò)孔阻值，可能出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。

　　3、假設(shè)以上沒(méi)有問(wèn)題，我們應(yīng)該懷疑MOS是否異常：首先承認(rèn)焊接是否有問(wèn)題；其次，看板厚度（是否簡(jiǎn)單彎曲），因?yàn)閺澢赡軐?dǎo)致管腳焊接異常；然后將MOS管放在顯微鏡下觀察是否破裂；畢竟，用　　萬(wàn)用表檢查MOS管腳的電阻值，看是否被擊穿。

五、bms保護(hù)板ID異常

　　1、由于虛焊、開(kāi)裂或電阻材料不合格，ID電阻本身出現(xiàn)異常：電阻兩端可從頭焊接。如果重焊后ID正常，則為虛焊。如果開(kāi)裂，重焊后電阻會(huì)開(kāi)裂。

　　2、ID過(guò)孔不導(dǎo)通：可用萬(wàn)用表檢查過(guò)孔兩端。

　　3、內(nèi)部線路問(wèn)題：可刮開(kāi)阻焊漆，看內(nèi)部電路是否斷開(kāi)、短路。

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